电子技术基础 试题
(2)当温度升高时，晶体管的β（增大），反向电流 ( 增大 )，UBE (减小)。
(3)电路如图所示，已知D为锗管，反向饱和电流IR = 100μA，则A点的电位UA等于( 9V )；若视二极管D为理想开关，A点的电位则为(10V )；若将二极管D反接，并视为理想开关，则A点电位等于(20V )。
(4)PN结中扩散电流的方向是( )，漂移电流的方向是( )。 (5)在N沟道结型场效应管反相器电路中，已知管子T的夹断电压UP = - 4V，当输入低电平UIL = -8V时，电路的输出电压UO= ( UOH )。 24．选择题
(1)NPN型和PNP型晶体管的区别是( C )。 A.由两种不同材料硅和锗制成； B.渗入的杂质元素不同； C.P和N区的位置不同。
(2)对于共发射极NPN管开关电路，当晶体管处于放大状态时，则有( A )。 A.UBE>0，UBC<0；B.UBE>0，UBC>0；
C. UBE<0，UBC<0；D. UBE =0，UBC =0。
（3）用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 B 。 A.夹断区；B.恒流区；C.可变电阻区。
(4)晶体管电流由 1.多子；B1.少子；C1两种载流子)组成；而场效应管的电流由 (A2.多子；B2.少子；C2两种载流子)组成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 A。(A3.大；B3.小；C3.差不多)