电子技术基础 试题
1）u i =4V时，ugs= Ugs(th)=4V，场效应管处于微导通状态，ID≈0.3mA(查图) Uds=VDD-IDRD=12-3.9×0.3=10.83V 由于Uds >Ugs- Ugs(th)=4-4=0
所以场效应管工作在恒流区（即线性放大状态） 2）u i =8V时，ugs= 8V> Ugs(th)=4V，查得ID=1.2mA
Uds=VDD-IdRD=12-1.2×3.9=7.32V
由于Uds> Ugs- Ugs(th)=8-4=4V，所以场效应管工作在恒流区（即线性放大状态）。 3）u i =12V时 即ugs= 12V> Ugs(th)=4V，查得ID=2.2mA
Uds=VDD-IdRD=12-2.2×3.9=3.42V
由于Uds< Ugs- Ugs(th)=12-4=8V，所以场效应管工作在可变电阻区（即欧姆区）
22．如图是一种CMOS反相器电路，若NMOS管和PMOS管开启电压|UT| = 4V，导通电阻ron =500Ω，试问：( l ) u i分别为0V和10V时，uo等于多少? ( 2 ) 若将PMOS管改成10kΩ电阻，上述输入电压下uo等于多少
?
解：1）当ui=0V时，ugsn=0V，NMOS管夹断；ugsp=-10V，PMOS管导通，由于ron«夹断管电阻，所以，u0=10V；
当ui=10V时，ugsn=10V，NMOS管导通；ugsp=0V，PMOS管夹断，由于ron«夹断管电阻，所以，u0=0V；
2）用10kΩ电阻取代PMOS管后，
当ui=0V时，ugsn=0V，NMOS管夹断，u0
rdsrds 10k
ronron 10k
10V；
当ui=10V时，ugsn=10V，NMOS管导通， u0
10V 0.48V
23．填空题
(1)N型半导体中多数载流子是(自由电子 )，P型半导体中多数载流子是(空穴)。