电子技术基础 试题
解:(a)是N沟道结型场效应管 (b)图是P沟道结型场效应管 (c)是N沟道耗尽型场效应管 (d)是N沟道增强型场效应管 (e)是P沟道耗尽型场效应管 (f)是P沟道增强型场效应管 电源VDD的极性如图所示。
+–++
–
–
20.某MOS场效应管的漏极特性如图所示,试分别画出UDS=9V、6V、3V时的转移特性曲线。
解:
ID/mAUDS=9V
4812
UGS/V
电子技术基础 试题
解:(a)是N沟道结型场效应管 (b)图是P沟道结型场效应管 (c)是N沟道耗尽型场效应管 (d)是N沟道增强型场效应管 (e)是P沟道耗尽型场效应管 (f)是P沟道增强型场效应管 电源VDD的极性如图所示。
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20.某MOS场效应管的漏极特性如图所示,试分别画出UDS=9V、6V、3V时的转移特性曲线。
解:
ID/mAUDS=9V
4812
UGS/V