GTM Electronics (Shanghai) Ltd.
MOS測試原理解析
By Antly_law
MOSFET-簡介?MOSFET定義及特點?MOSFET結構?MOSFET工作原理(NMOS)?MOSFET特性曲線(NMOS)?分立器件測試機
?MOSFET的直流參數及測試目的?MOSFET的交流參數?MOSFET Related
?廠內分析MOSFET異常方法?習題
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MOSFET定義?MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.场效晶体管（field-effect transistor）。
?MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的
?MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与
p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等
?
1.单极性器件(一种载流子导电)
?特點：
?2.输入电阻高(107 ?1015 ?，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015?)?3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低
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MOSFET結構?增強型NMOS結構與符號;S DGN+N+P 型衬底耗尽层(掺杂浓度低)?在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
它的栅极与其它电极间是绝缘的
B?符號如右
DG
BS
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MOSFET工作原理?增強型NMOS工作原理;1)uGS 对导电沟道的影响(uDS = 0),如左圖???
A.当UGS = 0，DS 间为两个背对背的PN 结；B.当0 < UGS < UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电场吸引P 区中电子形成离子区(耗尽层)；
C.当uGS ?UGS(th)时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。uGS越大沟道越厚。
DS 间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。
反型层(沟道)
2)uDS对iD的影响(uGS > UGS(th))
???
1.预夹断(UGD =UGS(th))：漏极附近反型层消失。.
2.预夹断发生之前：uDS?iD?。3.预夹断发生之后：uDS?iD 不变。
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