MOSFET的直流參數及測試目的?2.測試項目(IDSS)，測試線路如右：?IDSS：即所謂的洩漏電流，通常很小，但是有時為了確保耐壓，在晶片周圍的設計，多少會有洩漏電流成分存在，此最大可能達到標準值10倍以上。該特性與溫度成正比?測試方法：G,S 短接，DS端給電壓，量測IDS?測試目的：
1.檢測DS間是否有暗裂
2.建議放在BVDSS后測試
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MOSFET的直流參數及測試目的?3.測試項目(BVDSS)，測試線路如右：?BVDSS：此為Drain端–Source端所能承受電壓值,主要受制內藏逆向二極體的耐壓,其測試條件為VGS=0V , ID=250 uA . 該特性與溫度成正比?測試方法：G,S 短接，DS端給電流，量測VDS=VD-VS?測試目的：1.檢測產品是否擊穿
2.可用來檢測產品混料
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MOSFET的直流參數及測試目的?4.測試項目(VTH)，測試線路如右：?VTH：使MOS 開始導通的輸入電壓稱THRESHOLD VOLTAGE。由於電壓在VGS(TH)以下，POWER MOS 處於截止狀態，因此，VGS(TH) 也可以看成耐雜訊能力的一項參數。VGS(TH) 愈高，代表耐雜訊能力愈強，但是，如此要使元件完全導通，所需要的電壓也會增大，必須做適當的調整，一般約為2~4V，與BJT導通電壓VBE=0.6V比較，其耐雜訊能力相當良好。該特性與溫度成反比
?測試方法：
G,D 短接，DS端給電流，量測VTH=VGS=VD-VS?測試目的：1.檢測產品的OS2.可用來檢測產品混料3.檢測W/B制程之Gate線
?KDK2002中，VTH寫法為VGSF+ CB=1
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MOSFET的直流參數及測試目的?5.測試項目(Rdson)，測試線路如右：?RDSON：導通電阻值,低壓POWER MOSFET最受矚目之參數RDS(on)=RSOURCE+ RCHANNEL+ RACCUMULATION+ RJFET+ R DRIFT(EPI) + RSUBSTRATE低壓POWERMOSFET導通電阻是由不同區域的電阻所組成，大部分存在於RCHANNEL，RJFET及REPI，在高壓MOS則集中於REPI。為了降低導通電阻值，Mosfet晶片技術上朝高集積度邁進，在製程演進上，TRENCHDMOS以其較高的集積密度，逐漸取代PLANARDMOS成為MOSFET製程技術主流。該特性與溫度成正比.
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MOSFET的直流參數及測試目的?5.測試項目(Rdson)，測試線路如右：?測試方法：GS給電壓，DS端給電流ID，量測VDS 用VDS/ID 得到Rdson1.分立器件測試機均是由此公式換算得出2.KDK-2002/2003在寫測試條件時，Range部分請選擇10,其PNP極性VGS需寫成負值?測試目的：
在產品出現Ball off異常時，可用來加嚴測試，篩選出異常品
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