MOSFET的交流參數20161284Qgd0 20 40 60 80 100Qg Total Gate Charge(nC)QgsVgs Gate to Source Voltage(V)?GATE CHARGE ?Total QgQG/QGS/QGD?POWER MOS 的切換動作過程可以說是一種電荷移送現象。由於閘極完全是由絕緣膜覆蓋，其輸入阻抗幾乎是無限大，完全看輸入電容量的充電/放電動作來決定切換動作的狀態。?POWER MOS 在導通前可以分--啟閘值電壓之前/開始導通/完全導通三種狀態:?啟閘值電壓: 在電壓達到啟閘值電壓之前，輸入電容量幾乎是與閘極電容量CGS相等。在閘極正下方的汲極領域的空乏區會擴展，閘極--汲極間的電容量與電極間距離有關。在導通的初期狀態，由於有Miller效應，輸入電容量的變化很複雜。當汲極電流愈增加時，Av也會增加，Miller效應會愈明顯。隨著汲極電流的增大，負載電阻的壓降也會增大，使加在POWER MOS 的電壓下降。
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MOSFET的交流參數?GATE CHARGE ?
QG/QGS/QGD開始導通: 當所加的電壓VDS有變化時，空乏層的厚度d也會發生變化。
GATEdd”DRAIN
完全導通: 在完全導通時，輸入電容量可以視為CGD與CGS之和。
GATEdDRAIN
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MOSFET的交流參數?TURN-ON/OFF DELAY TIME?TD (ON) /TD (OFF)?導通時間TON :此為導通延遲時間TD(ON)與上升時間TR的和。由閘極電壓上昇至10%到VDS由於ON而下降至90%之值為止的時間，稱之為TD(ON)，而進一步至VDS成為10%之值為止的時間稱之為TR 。此一導通時間與閘極電壓以及信號源的阻抗有很大的關係，大致上成為TON 》RG/VGS的關係。
?截流時間TOFF :
此為截流時間TD(OFF)與下降時間TF之和。由閘極電壓下降至90%開始，至VDS成為OFF而上昇至10%之值為止的時間。稱之為TD(OFF) ，更進一步至VDS上昇至90%為止的時間，稱之為TF 。此一截流時間TOFF也與導通時間一樣與信號源阻抗及閘極電壓有很大關係。大致上可以用TOFF 》RG/VGS表示。
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MOSFET Related?POWER RELATED?
POWER DISSAPATIONCURRENT RATING
MAXIMUM CURRENT REATIHGAVALANCHE
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MOSFET Related?POWER DISSAPATIONPD:為元件上所能承受電功率.其運算式為:PD(max) = ( TJ–TC) / RθJC
PD(max) = (150 ℃-25 ℃) / 2.1 ℃/W
= 60 W
TJ = 元件接合溫度.TC = 外殼溫度.
RθJC= 晶片至外殼的熱電阻
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