MOSFET特性曲線?增強型NMOS特性曲線：轉移特性曲線iD?f(uGS)U4321
DSiD/mA2 4 6uGS/V
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MOSFET特性曲線?增強型NMOS特性曲線：輸出特性曲線iD/mAiD?f(uDS)UGS8V可6V变电恒流区4 V阻区uGS = 2 VuDS/V截止区?可變電阻區：uDS < uGS ?UGS(th) uDS??iD?，直到预夹断?飽和放大區：uDS?，iD不变?uDS 加在耗尽层上，沟道电阻不变?截止區：uGS ?UGS(th)全夹断iD = 0每一條曲線均是由每一個Vgs電壓得來的橫軸為UDS(單位:V) 縱軸為ID(單位為Ma)
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分立器件測試機?目前廠內測試分立器件的模擬測試機有：?1.TESEC: Tesec 881（20A,1000V) ; Tesec8820 (3A,500V)?2.KDK: KDK2002 (10A,1000V) ; KDK2003 (30A,1500V)?3.聯動測試機: 30A,1000V
?4.SM-2095: (5A,500V)
1.對于測試MOSFET及其他分立器件，用規格較小測試機撰寫的程序均可在規格較大的測試機上測試，切勿反之！2. Tesec881 +8610-Cu（大電流）可測到200A.
3.測試MOSFET時，使用9824BOX（G-I-O腳位)盒.晶體管使用BCE腳位之BOX
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MOSFET的直流參數及測試目的?測試項目：?1.IGSS:Gate-to-Source Forward Leakage Current?2.IDSS：Drain-to-Source Forward Leakage Current?3.BVDSS：Drain-to-Source Breakdown Voltage?4.VTH：Gate Threshold Voltage
?5.RDSON：Static Drain-to-Source On-Resistance?6.VFSD：Diode Forward Voltage?7.GMP：GFS
?8.VP: Pinch-Off Voltage
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MOSFET的直流參數及測試目的?1.測試項目(IGSS)，測試線路如右：?IGSS：此為在閘極周圍所介入的氧化膜的洩極電流，此值愈小愈好，當所加入的電壓，超過氧化膜的耐壓能力時，往往會使元件遭受破壞。?測試方法：D,S 短接，GS端給電壓，量測IGS?測試目的：
1.檢測Gate氧化層是否存在異常
2.檢測因ESD導致的damage3.檢測Bonding后有無Short情形
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