MOSFET Related?CURRENT RATINGID: 為元件所能提供最大連續電流.
ID運算式:
ID = √[ PD/ RDSON(MAX)] ID = √[60W / 5*2.5Ω]= 2A
*PD = @TJ=150℃
*RDSON(MAX) = R(T)*RDSON(MAX)
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MOSFET Related?MAXIMUM CURRENT REATIHGIDM: 為元件所能承受瞬間最大電流.IDM運算法:
關於IDM值,該值乃是根據RDSON–溫度曲線圖和熱阻曲線計算得知.1.由SINGLE PULSE 300uS代入FIGURE 得知R(T)約等於0.15. 2.R θJC(T) = R θJC* R(T)
= 2.1℃/W *0.15= 0.315 ℃/W
3.PDM = (TJ-TC)/R θJC(T)
= (150℃-25℃)/0.315 ℃/W= 396℃/W.
4.IDM = √[PDM/RDSON(max)]
= √(396℃/W /10.5Ω) = 6 A .
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MOSFET Related?AVALANCHEVDSD.U.T.LEASAVALANCHE ENERGY 計算公式如下:EAS= 1/2*L*I*I[V(BR)DSS/(V(BR)DSS-VDD)]VDDRG= 1/2 *60 mH *2 A *2A * [600/(600-50)]=120 mJEAS=雪崩能量tptp0.01ΩIASV(BR)DDVDDL=電感值I=電感峰值電流BVDSS=雪崩擊穿電壓VDD=電源電壓.
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廠內分析MOSFET 異常方法?分析流程：外觀檢查?DC?X-ray?De-cap?Cratering?無異常反饋客戶，若分析中發現有異常，需再確認，並開立異常單轉內部處理，依要求做信賴性驗證及反饋客戶
?外觀檢查:看是否有暗裂，樹脂破等異常
?DC:Socket驗證產品是否為誤判
?X-ray:觀察打線是否異常？共錫產品是否有空洞？銀膠產品是否有氣泡？?De-cap：確認D/S, D/B, W/B,M/D製程有無異常，如晶粒表面刮傷，釘傷，
球扁壓及鋁路，Ball off，E點脫落，頸部短線，塌線，晶粒暗裂及其他
?Cratering：檢查W/B製程是否存在Bonding異常?其它分析手法：SAT,Cross setcion，等…
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習題?1.請寫出MOSFET的DC參數?2.請寫出KDK-2003測試PNP管時Rdson的條件?3.請寫出Tesec 881測試VFSD,VFSD+分別代表什麼意思?4.請寫出KDK-2002測試VTH的替代項目
?5.問題：TESEC 881程式是否能與8820共用？請告知原由？?6.請寫出廠內測試分立器件的測試機的電流電壓參數?7.實習題：請實際操作並整理一份MOSFET的OS測試資料
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Thaks a lot
劉進軍