超高精度带隙基准源的设计(8)

2019-06-17 19:36

结 论

基准电压源广泛应用于各种集成电路中,其精度和稳定性直接影响着整个系统的性能,在生活中对基准源的功耗、电源抑制比、工作电压等方面都有较高的要求。本文通过对CMOS带隙基准电压源进行深入的研究,设计出了一种精度较高的带隙基准源。

由电路的仿真结果可将基准源的性能概括如下: 1)产生1.25V基准电压;

2)电压范围2.7V~5.5V内基准源变化小于0.12mV;

3)输入电压为5V时,在0℃~100℃范围内,温度系数可以达到11.2ppm/℃; 4)基准源有较高的电源抑制比,在1HZ到10MHZ范围内,平均电源抑制比(PSRR)已经达到-80dB;

5)启动时间为700?s;

以上结果表明,该带隙基准电压源各项重要的性能指标完全合乎要求,是一种高精度的CMOS带隙基准电压源。

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致 谢

首先我要感谢我的导师吴蓉老师,她个人对于学术严谨的态度给了我很大的触动,让我能够平静下浮躁的心情认认真真完成整个电路的设计流程。在完成论文的过程中,她给我提供了非常有用的参考资料,并在每个阶段都提出值得我思考的建议,引导我使用更方便、正确的分析方法来解决问题。

其次,要感谢百忙之中抽空指导我的师姐张娅妮,她总是很耐心地回答我提出的各种问题,尽管有些在她看来是很简单的,这让我省去了许多无谓的摸索过程,直接学到了一些精髓所在。

感谢孙彬彬同学、刁亚宁同学以及李超德同学在论文上给予我的帮助,正是有了他们的帮助我的论文才能顺利完成。

感谢所有曾经帮助过我的朋友们,他们给了我坚强和自信。

最后,感谢兰州交通大学对我四年的培养。感谢曾经教育和帮助过我的所有老师。衷心感谢百忙之中抽出时间参加论文评阅和论文答辩的各位专家学者,感谢他们为审阅本文所付出的辛勤劳动

作为一个电路设计的初学者,我只是完成了一个简单的基本模块的设计,还有许多值得探究和思考的方面,所以我还不能以一篇杰出的论文来感谢那些帮助过我的人,只能用我的态度与决心来表示对他们真诚的谢意。

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参考文献

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