第ｌ章绪论
１．４表面光电压技术
１．４．１表面光电压谱
表面光电压谱是表征半导体材料光电性质的一种重要手段。它作为一种光谱技术具有很多的优点【２５】：
首先，表面光电压谱是一种作用光谱，它可以在不破坏样品形貌，不污染样品的情况下对样品进行测试。表面光电压谱还可以测量那些在透射光谱仪上难以测试的光学不透明的样品。
其次，表面光电压谱所反映的主要是样品表层的信息，一般在几十个纳米左右，所以基本上不受基底的影响，这对于研究界面电子过程和光敏表面的性质是很重要的。
另外，表面光电压谱是基于检测入射光诱导的表面电荷的变化情况进行测试的，因此，它具有很高的灵敏度，约为１０８ｑ／ｃｍ２，或者说每１０７个表面原子或离子有一个单位电荷，高于ＸＰＳ或Ａｕｇｅｒ电子能谱几个数量级。
表面光电压技术可以成功获得表面态的能级位置，表面电荷分布等材料表面参数的信息，还可以用来研究半导体的禁带宽度，光敏化和光催化过程。而且表面光电压技术在研究复合半导体表面、界面的光电性质上也表现出了优越性，是研究半导体光电性质的有力工具【２６】。
１．４．２表面光电压谱仪的构造
图１．３是表面光电压谱测试系统（表面光电压谱仪）的结构示意图。表面光电压谱仪主要由三部分组成。
第一部分为光源，光源为５００Ｗ的氙灯，氙灯发出的光经过单色仪调制以后可以得到连续可调的单色光，经过外光路系统照射在置于样品池中的样品表面；第二部分是信号采集部分，信号采集部分是表面光电压谱仪的核心部分，它基于高性能的锁相放大技术（ＳＲ８３０）实现对微弱信号的采集和处理；第三部分是信号的处理部分，它对得到的微弱电信号进行计算处理。其中样品池是表面光电压