河南大学微电子学与固体电子学专业２００７级硕士学位论文
价带出现一个自由空穴，自由空穴的复合会引起电子进一步的耗尽（表面势垒的增加），表面能带弯曲变大，对于ｎ型半导体来说会出现负的表面光电压现象。如图１．７所示，光照后表面电势由Ｋ变为∥，这种现象首先由Ｌａｇｏｗｓｋ发现，被称为表面光电压反转，当背景有其它电荷跃迁时，可能会引起“表面光电压淬灭”。ｃＢ—乡
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图１．７ｎ型半导体向表面态注入电图１．６ｎ型半导体亚带隙跃迁产生
表面光电压能带示意图．子的能带示意图。
对ｎ型半导体来说，电子从杂质能级跃迁至导带，自由电子（多子）的产生对表面光电压影响较小，而价带中受激发的电子被杂质能级所捕获，产生自由空穴（少子），那么将对表面光电压有较大的影响（多数载流子浓度的变化对表面势垒的影响较小，但是少子的增加，就有可能是原来少子浓度的数倍或更大，所以对表面势垒的影响较大）。
（３）表面吸附物向半导体的光致电荷注入
半导体表面吸附物质受激发时，如果激发态电子（自由空穴）能够注入半导体内，电荷的迁移过程最终会影响空间电荷分布区，改变表面势垒高度，导致光电压伏值的变化。尽管理论上可当作化学吸附表面态来处理，但是由于吸附质本身具有光活性，光谱响应不仅仅取决于表面态相对于本征能带的能量位置，更多的取决于它们的吸收光谱。由于纳米材料的尺寸原因，纳米颗粒一般不考虑能带弯曲，在分析电荷传输时，通常采用平带模型。
１．５本论文的研究内容
本论文主要由以下几个方面的研究内容：