河南大学微电了学与同体电了学专业２００７级硕士学位论文
谱仪的关键部分，它的构型和用材对光电压的信噪比有很大的影响。
斩被墨
透镜
图１－３表面光电压谱仪装置示意图
１．４．３表面光电压的产生机理
表面光电压是半导体表面的光伏效应，是光生电子跃迁的结果。在这一跃迁过程中产生光生载流子，表面光电压的数值大小取决于光生载流子在材料表面上的静电荷数目。它产生的基本条件是材料在光照时产生的光生载流子在自建场的作用下有效分离。体相材料的表面光电压常采用半导体能带理论来解释。在体相材料的半导体中，由于表面原子成键的不饱和，很容易吸附外界分子，形成空间电荷分布区，产生自建场，如图１．４所示１１型半导体为例。光照时，电子发生跃迁，自由电子和空穴要克服静电吸引，在自建场下分离，空穴向表面漂移，而电子向体内漂移，使得光照面的电位高于非光照面的电位，这样１１型半导体测出的ＳＰＶ为正值，而Ｐ型半导体为负值。
０；０ｉＯ；０；０；Ｏｉ
ＭＰ＋Ｍ
Ｍ
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图１．４左图：１１型体相材料半导体吸附外界分子而形成自建场，
右图：１１型半导体的能带示意图，箭头方向为自建场的方向。