卡口对齐。关闭准备室舱门，开始给准备室抽真空。
当准备室内的真空度达到高真空时，开启准备室与溅射室传送通道，按线控制器上的open按钮将准备室内的镀膜托盘传送至溅射室，手动摇动手柄将镀膜盘向上抓起。将传送装置送回准备室，按下close 按钮关闭连接通道。摇动手柄将镀膜盘降下，准备磁控溅射镀膜。
载入磁控溅射镀膜参数程序，开始镀膜。第一组镀膜参数为快速加热基片到140摄氏度；然后慢速加热基片到150摄氏度；氩气气氛下预溅射靶材20秒，氩气气氛下磁控溅射铜600秒；氩气气氛下磁控溅射镀镍240秒。
开启准备室与溅射室通道，启动传送装置将溅射室内的镀膜托盘传回到准备室，关闭连接通道。
开启准备室，用托盘叉将托盘取出，将镀好膜的玻璃基片取下放入洁净的有盖搪瓷方盘中备用。
重复以上步骤将所有的玻璃基片镀上金属膜。
其中先镀镍30秒在基片表面形成一层很厚的镍层，改善了接下来要镀的铜层的附着能力，接下来要镀铜600秒在基片表面形成一层较厚的铜层，铜具有良好的导电性，保证了将来制成器件电极良好导电性；最后镀镍180秒在铜表面形成一层保护层保护好易氧化的铜。于是在玻璃基片表面上镀了三层导电性良好的稳定的金属薄膜，为之后的光刻工艺制作器件电极打下基础。
3、器件电极制作（光刻）
采用光刻加工工艺制作电极。光可加工的基本流程包括衬底准