备、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶。
衬底准备：即器件电极制作镀膜工序
甩胶：用KW-4A型旋转甩胶机进行甩胶。将镀金属薄膜的玻璃基片取出，用滴管在金属薄膜表面上滴上适量光刻胶，小心晃动玻璃基片，是使光刻胶覆盖整个膜面。将涂好光刻胶的玻璃基片放在旋转甩胶机中心按下吸气按钮将玻璃基片固定在甩胶台上。盖好盖子先慢速甩9分钟，再快速甩30秒将光刻胶均匀地甩涂到玻璃基片金属薄膜上按动吸气按钮停止吸气，将甩好胶的玻璃基片取下。
前烘：将甩好胶的玻璃基片放入烘箱中，在80摄氏度下烘烤30分钟。前烘将光刻胶的溶剂烘干，使得金属薄膜表面的光刻胶固化，增强光刻胶膜与金属薄膜表面之间的粘附性。
曝光：用W-SP-4860A型光刻机进行曝光，这台机器可以曝光100x120cm的大幅版面。由于我们使用的光刻胶为正性的，因此是用正性的掩膜板，将掩膜板放在曝光台上，器件电极图像应该处于基片中央，盖上遮光板，开始抽真空使得遮光板紧贴玻璃面抽真空6秒后强紫外灯点亮开始曝光。曝光时间必须适当，时间太长或者时间太短都会使得曝光过程出现问题。曝光时间是由光刻胶、薄膜厚度、光源强度、以及光源与衬底之间的距离来决定，一般曝光时间为几秒到几十秒的范围内。通常以短时间曝光为好，并通过实验来决定最佳曝光时间。
显影：先配置显影液显影液为质量分数为千分之四的氢氧化钠溶液。带上橡胶手套将曝光之后的玻璃基板放入显影液中显影。显影时