间随着光致抗蚀剂的种类，胶膜厚度、显影液的种类、显影温度和操作方法的不同而不同，要根据实际情况进行选择和调整。显影时间过长。容易使胶膜发生软化和膨胀，影响胶膜与衬底的粘附性。甚至出现浮胶现象。显影时间过短，会引起反应不充分。因而影响腐蚀出来的图形精度，同时也会降低分辨率。本实验中的显影时间大概为20min左右，光刻部分的金属薄膜刚好显露出来，显影完毕之后在金相显微镜下观察显影情况。
坚膜（后烘）：将显影后的玻璃基片放入烘箱中，在100℃下烘60分钟。坚膜的目的在于挥发掉残存于光刻胶的溶剂，进一步提高胶膜与衬底表面的粘附能力，并使胶膜致密坚固，并可以增加胶层的抗刻蚀能力。
刻蚀：使用指导老师事先配置好的腐蚀液，分成为质量分数为30%硝酸加3g硫酸高铈，其中硫酸高铈为催化剂作用。用镊子将坚膜后的玻璃基片放入腐蚀液中，注意镊子不要碰伤光刻胶层。当刻好的图案清晰可见即可取出来用清水冲净。用压缩空气吹干水渍后即可拿到显微镜下观察，若发现刻蚀不充分可继续放入腐蚀液中刻蚀。
去胶：去胶液为5~10%氢氧化钠溶液。剥胶液与光照过的胶膜发生反应，将不再能贴敷在基板上，用清水冲净玻璃基片残留去胶液，用压缩空气吹干后放入洁净的盖有搪瓷方盘中备用。