gM gtank （4-7）
gM表示MOS管的跨导。
本实验的电路中的管子的沟长L都采用最小的尺寸0.25um,NMOS差分对管取50个射频单元管，PMOS取差分对管100个射频单元管，尾电流管子取50个射频单元管
一个理想的压控振荡器的频率压控特性(图3.11)可以表示为：
out 0 Kv Vctrl （3-22） 其中Vctrl为压控电压，Kv为压控振荡器的增益， 0为压控电压为OV时的振荡频率。
图3.11 理想压控振荡器压控特性
振荡器的频率与相位的关系表示为：
out （3-23）
t则根据式子(3-22), (3-23),假设Kv为常数可以得到振荡器的相位为：
outdt 0 0 Kv Vctrl dt 0 0t Kv Vctrldt 0 （3-24）
其中定义振荡器的相位增量为 ex Kv Vctrldt。因此在锁相环电路中，压控振荡器的相位是一个理想的积分器，其传递函数可以表示为：
exK
（3-25） s v
Vctrls
3.1 相位噪声的知识
大多数情况下，压控振荡器的相位噪声性能是影响集成接收机灵敏度的最主要的因素。理想的正弦波的频谱是一个脉冲函数，但是由于实际电路中存在各种噪声源，振荡器输出的信号频谱特性都是频罩曲线，如图3.13(a)所示。电路中噪声源可以划分为两大类：器件噪声和外界干扰噪声，前者包括热噪声，闪烁噪