为1Hz内单边带噪声谱密度与载波功率比值的分贝形式(dBc/Hz)：
P ,1Hz
L 20 log sideband0
Pcarrier （3-28）
P ,1Hz 其中 为频率偏移率，sideband 0为频率偏移量 处1Hz内的单边带噪声谱密度，Pcarrier为载波能量。
D.B.Leeson在1966年提出了一种经验噪声模型：
2
0 1f3 2FkT
L 20 log （3-29） 1 1 P2Q L s
其中F是一个经验参数，通常称为器件的额外噪声系数，k是波尔滋曼常数，
T为绝对温度，Ps为谐振电路的平均功耗， 0为振荡频率，QL为有载条件下的谐振品质因数，
为频率偏移量， f
3
为f3和f2区域的拐点频率。
该模型是建立在电感电容谐振电路的线性时不变假设条件下，而且额外噪声系数F必须 通过测试得到，因此该模型方程(3-29)不具备进行相位噪声预先分析
3
f的能力。该噪声模型的典型曲线如图3.13(b)所示，相位噪声的拐角频率点
f3
与器件的1/f噪声拐角频率点相同，但是实际振荡器相位噪声测试表明与
f f
是不等的，因此可以认为Leeson模型中的
f
频率实际上是一个
经验拟合值，它并不具备任何物理意义。
从 1995 年和 1996 年，Craninckx和 Razavi重新提出相位噪声分析方法到现在，许多人相继提出了许多新的相位噪声产生的物理机制和分析方法。这些理论和分析方法主要可以分为两大类：时变分析和时不变分析。
3. 2 非时变模型
假设谐振腔的热噪声是唯一的噪声源。这个噪声可以用一个电流源来模拟，它的电流均方密度为:
2
in
（3-30） 4kTG
f
G是谐振腔总的跨导，这个电流源乘上谐振腔的总阻抗就是噪声的电压。相对于谐振腔的中心频率 0的很小的频率偏移 ,谐振腔的阻抗可以近似为: Z 0 f
0
（3-31）
2 0