这个式子描述了f3区域的相位噪声。它的拐点频率为：
f
C4
202max
f
3
f
C0
（3-50）
C 1
2
要想降低它的相位噪声必须降低C0，也就是ISF的直流分量。要降低C0，则必需要求输出的波形越对称越好，这一点可以通过适当的选取电路结构和器件参数来得到。
由以上的两个式子可以看出，热噪声和闪烁噪声以电流注入谐振腔的形式，引起相位变化，相位变化的大小和电流的大小，输入的时间有关。噪声造成的相位变化经过谐振腔的调变，在输出频谱的周围展开成裙带状的相位噪声。它的示意图如图3.18所示:：
Sv0
00
图3.18 相位噪声示意图
在时变模型的分析中，解释了f3
和f2区域形成的原因，并对这两个区域
的相位噪声做出了预测.而且时变模型的分析能给我们带来更多的提高相位噪声的方法。除了提过Q值外，我们可以通过改善输出的波形，或者采用PMOS管降低闪烁噪声来提高VCO的性能。
3.4 降低相位噪声的方法
1.减小1/f噪声影响
1/f噪声调制到载频上而增大了相位噪声，为降低这种影响，可考虑对1/f噪声进行取样，引入负反馈。其基本原理如图3.19所示。在仿真及实际电路中，