?扩散层的选择性：
价数越高越容易被吸附；例如Ca2+比K+容易被吸附。
与构晶离子生成难溶化合物或离解度较小的化合物的离子也容易被吸附。
例如：在沉淀BaSO4时，溶液中除Ba2+外还含有NO3-、Cl-、Na+和H+，当加入沉淀剂稀硫酸的量不足时，则BaSO4沉淀首先吸附Ba2+而带正电荷，然后吸附NO3-而不易吸附Cl-，因为Ba(NO3)2的溶解度小于BaCl2。如果加入稀H2SO4过量，则BaSO4沉淀先吸附SO42-而带负电荷，然后吸附Na+而不易吸附H+，因为Na2SO4的溶解度比H2SO4为小。
表面吸附：吸附层：构晶离子扩散层：抗衡离子吸溶解度小附原电价高
则
浓度大
例如用
SO42-
沉淀
Ba2+
SO42-Ba2+SO42-
Ca2+
Cl-
Ba2+
SO4
2-
Ba2+
SO42-K+
NO3-
SO42-Ba2+SO42-Cl-
Ba2+SO42-Ba2+
SO42-
Ca2+
SO42-Ba2+SO42-
Cl-
Na+
吸附层扩散层
?表面吸附的影响因素沉淀表面积
温度
杂质浓度
吸附杂质量的多少，还与下列因素有关：
沉淀的总表面积愈大，吸附杂质的量愈多。所以无定形
沉淀较晶形沉淀吸附杂质多，细小的晶形沉淀较粗大的晶形沉淀吸附杂质多。
杂质离子的浓度愈大，被吸附的量也愈多。
溶液的温度：因为吸附作用是一个放热过程，所以溶液的温度愈高，吸附的杂质量愈少。
⑵生成混晶
每种晶形沉淀，都具有一定的晶体结构，如果杂质离子与构晶离子的半径相近，电子层结构相同，而且所形成的晶体结构也相同，则它们能生成混晶体。常见的混晶体有BaSO4和PbSO4，AgC1和AgBr等。也有一些杂质与沉淀具有不相同的晶体结构如立方体的NaCl和四面体的Ag2CrO4晶体结构不同，也能生成混晶体。这种混晶体的形状往往不完整,当其与母液一起放置时，杂质离子将逐渐被驱出，结晶形状慢慢变得完整些，所得到的沉淀也更纯净一些。
⑶吸留与包夹
在沉淀过程中，当沉淀剂的浓度比较大、加入较快时，沉淀生成的速度过快，则先被吸附在沉淀表面的杂质离子来不及离开沉淀，于是就陷入沉淀晶体内部，这种现象称为吸留。如留在沉淀内部的是母液，则称为包夹。
这种现象造成的沉淀不纯是无法洗去的，因此，在进行
沉淀时应尽量避免此种现象的发生。