Eg I1N
207.35 V m
Eg
0.00812 4.44f1NSkN
S
（3）忽略定子漏阻抗的气隙磁通要大于考虑定子漏阻抗理想空载时的气隙磁通大于考虑定子漏阻抗额定负载时气隙磁通。
忽略定子漏阻抗的Eg大于考虑下定子漏阻抗理想空载时的大于额定负载时的。
原因：忽略定子漏阻抗时，气隙磁通在定子每相中异步电动势的有效值Eg就等于定子相电压，而考虑定子漏阻抗时的Eg要用定子相电压减去定子漏阻抗的压降，所以忽略定子漏阻抗时的Eg必然大，相应每极气隙磁通也大。考虑定子漏阻抗时，理想空载时励磁电感上的压降只有励磁电感产生，而额定负载时还有负载并在励磁电感上，总的阻抗减小，压降也减小，所以理想空载时的Eg大于额定负载时的Eg，相应的每极气隙磁通也大。 5-4 （1） 理想空载：
Es US I0Rs 219.08V
ms
Es
0.00858
4.44f1NSkN
S
额定负载：
Es US I1NRs 214.41 V
ms
（2）
Es
0.00840
4.44f1NSkN
S
Er Er US I1N
mr
'
154.57 V
Er'
0.00605 4.44f1NSkN
S
（3）