(南理工张俊举老师)半导体物理作业及答案(2)

2019-02-17 17:04

uk(r)?urk(?hRn )uk?Kn(r)??a(k?Kh?Kn)eiKh?r

??a(k?Kl)eli(kl?Kn)?r

?k?K(r)?ei(k?Knn)?ruk?Kn(r)??eik?ra(k?Kl)eikl?r??k(r)l

?????上式说明:k?Kn和k态实际是同一电子态。同一电子态对应同一个能量,所以又有:

E(r)?E(?knK )5、 题目:根据量子力学知道,晶体中电子的平均运动速度为

v????k(r)??k(r)d3r ?im0?式中?k(r)为晶体中电子的布洛赫波函数,?k(r)为其共轭。请用薛定谔方程证明

v?1?kE(k) ?证明:

布洛赫波函数为

?k(r)?uk(r)eik?r

将波矢空间梯度算符

?k?作用到布洛赫波函数上,可得

???i?j?k ?kx?ky?kz?k?k(r)?ir?k(r)?eik?r?kuk(r)

薛定谔方程为

?22???k(r)?U(r)?k(r)?E(k)?k(r) 2m0将算符?k作用到薛定谔方程两侧,得

?22?22ik?r???ir?k(r)????e?kuk(r)??U(r)?ir?k(r)??U(r)?eik?r?kuk(r)?2m02m0?irE(k)??k(r)??E(k)?e?kuk(r)???k(r)?kE(k)ik?r????????????????(1)

(1)为薛定谔方程的右侧部分,将(1)用薛定谔方程的左侧部分代替,并进行左右侧内容的对调,可得

??22m?2?eik?r?kuk(r)??U(r)?eik?r?kuk(r)??E(k)?eik?r?kuk(r)?0?ir???22???22???2m??k(r)?U(r)?k(r)??????ir?k(r)??U(r)?ir?k(r)????k(r)?kE(k)0??2m0??2??2m(ir)??2?2k(r)????ir?k(r)???k(r)?kE(k)0??eik?r?kuk(r)也为布洛赫波函数,所以

??22m?2?eik?r?kuk(r)??U(r)?eik?r?kuk(r)??E(k)?eik?r?kuk(r)??0 0又因为

(ir)??2?ik?rk(r)???ir?k2?eu?r2k(r)?2r?k?eik?uk(r)?ir?eik?r?uk(r)

?2?ir?k(r)???2k?eik?ruk(r)?2i?eik?r?uk?rk(r)?ir?k2?eik?ruk(r)?2r?k?ei?uk(r)?ir?eik?r?2uk(r)

??k(r)?ik?eik?ruk(r)?eik?r?uk(r) 所以

(ir)??2?(r)???2?ir?2kk(r)??i??k(r)

所以

??22m?(ir)??2?k(r)???2?ir?k(r)????k(r)?kE(k)02

???i?m??k(r)??k(r)?kE(k)?00上式乘以??k(r)并对晶体进行积分

因?i??2?3??k(r)??k(r)?kE(k)?dr?0 ??(r)??m0?*k所以

1*?*33?(r)?(r)?E(k)dr??(r)??(r)dr k??kkk?i?m0k1*113*3?(r)?(r)?E(k)dr??E(k)?(r)?(r)dr??kE(k) kkk?kkk????所以

v?1??kE(k)

6、已知一维晶体的电子能带可写成

?h2E(k)71m2(?cos2?ka?cos6?ka) 0a88式中:a为晶格常数。试求: (1) 能带的宽度

(2) 电子的波矢k状态时的速度 (3) 能带底部和顶部电子的有效质量 【解】

(1)由E(k)关系得

dE?2dk?h2m(3sin32?ka?1sin2?ka) 0a4令

dEdk=0得 sin2?2ka?112 1所以 cos?2ka???2?11??12?? d2E??2h2求 (18s2dk2min?k2ac?oks?a21ikn02?s a1当cos2?ka??2?11?d2E?12??时,dk2>0 对应E(k)极小值

)2d2E?11?当cos2?ka????时,2<0 对应E(k)极大值

dk?12?12求得Emin和Emax即可得能带宽度

?11?将cos2?ka???代入得

?12?12?E?Emax?Emin2?11?h ?2???12?m0a32(2)v(k)?1dE?h1?(3sin32?ka?sin2?ka) hdkm0a4(3)能带底和顶部电子有效质量分别是

?m?*n带底?1?d2E????2?2???4.18m0 ??h?dk?带底???1?m?

*n带顶?1?d2E????2?2????4.18m0 ?h?dk?带顶????17、设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:

h2k123h2k2h2k2h2(k?k1)2和Ev(k)?; EC(k)?+-3m0m06m0m0m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=0.314nm。试求: ①禁带宽度;

②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量;

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg

2h2(k?k1)dEc(k)2h2k根据=+=0;可求出对应导带能量极小值Emin的k值:

dk3m0m03kmin=k1,

4由题中EC式可得:Emin=EC(K)|k=kmin=

h2k1; 4m0由题中EV式可看出,对应价带能量极大值Emax的k值为:kmax=0;

h2k12h2k12h2并且Emin=EV(k)|k=kmax=;∴Eg=Emin-Emax== 212m6m048m0a0(6.62?10?27)2==0.64eV ?28?82?1148?9.1?10?(3.14?10)?1.6?10②导带底电子有效质量mn

2d2EC2h22h28h232dEC?m0?3.4?10?31kg ;∴ mc??/???2dk83m0m03m0dk2③价带顶电子有效质量m’

d2EV1dEV6hm?h/??m0??1.5?10?31kg2,∴ ??dk62m0dk22*v2④准动量的改变量

h△k=h(kmin-kmax)=

33??k1??7.9?10?25(kg?m/S) 48a[毕]


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