半导体物理作业及答案(10)

2019-08-03 13:44

?I?10?3V?VTln??1??0.026ln(?1) ?148.74?10?I0? ?0.60V2

4、 一个p-n结二极管作为压控电容(变容管)使用,在反向偏置电压为2V时,它的可变电容为200pF,试问需要加多大的反偏置电压,才能使它的电容减少到100pF?假设接触电位是0.85V。

解:突变结的势垒电容为

1???r?0qNAND?2CT?A???(VD?V)(F/m)

?2(NA?ND)?式中:VD为接触电位,V为外加电压,NA,ND分别为结两边掺杂浓度。对于特定的二极管,

CT可以写为

CT?k(VD?V)

当V??2V时,CT?200pF,故有:

?12k?CT(VD?V)?200?10?12?(0.85?2)?3.38?10?10 当CT?100pF时

k3.38?10?10(VD?V)?? ?12CT100?101212得V=10.55V


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