Situation 地点，位置，形势，情况 Skating rink 溜冰场 Skeleton diagram 轮廓图 Sketching board 绘图板 Sketch plan 草图，初步设计 skin-load 外围护结构负荷
Skin temperature 皮肤温度，外壳温度 Skirtboard 侧护板，侧壁；踢脚板 Skirting air inlet 踢脚板进气口 Skirting heater 踢脚板放热器 Sky radiation 天空辐射
Steam heating pipe蒸汽供热管道 System accessaries 设备安装辅料 System testing 系统调试费title 图名 trasportation 设备吊运费 two-speed motor双速电机
ultra low penetration air filter 超高空气效过滤器 unidirectional air flow clean rooms单向流洁净室 vacuum 真空
valve and sub-asembly handing 阀门及配件安装工费 vibration isolation减振
virbrate free double poles terminal防震双球软接头 water flow水流量
water piping fittings 水管吊支架
water to water plate heat exchangers板换 water wide pre.drop水侧压降
ADI 显影后检查
.定义：After Developing Inspection 的缩写
.目的：检查黄光室制程；光刻胶覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良等即予修改，以维护产品良率、品质。 .方法：利用目检、显微镜为之。
2. AEI 刻蚀后检查
.定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光刻胶去除前及光刻胶去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
.目的：a. 提高产品良率，避免不良品外流。b.达到品质的一致性和制程的重复性。c.显示制程能力的指针。d.阻止异常扩大，节省成本
.通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低的缺点。
3. AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室的前，需穿无尘衣，因在外面更衣室的故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室的前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
4. AL/SI 铝/硅靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar（氩）游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用的组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。
5. AL/SI/CU 铝/硅/铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象、（ELECTROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。
6. ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar（氩）游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线的连接。
7. ANGSTRON 埃 埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度的五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
8. APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写。
9. 烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓的烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光刻胶后，主要目的是为了将光刻胶中的溶剂蒸发去除，并且可增加光刻胶与芯片的附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光刻胶附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不够长会造成过蚀刻。
10.BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称的为Boat。一般晶舟有两种材质，一是石英、另一是特氟龙。石英晶舟用在温度较高（大于300℃）的场合。而特氟龙晶舟则用在传送或酸处理的场合。
11.CH3COOH 醋酸 AETIC ACID 醋酸澄清、无色液体、有刺激性气味、熔点16.63℃、沸点118℃。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上的纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。
12.CHAMBER 真空室,反应室 专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等。针对此特殊空间的种种外在或内在环境：例如外在颗粒数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件。
13.CMOS 互补式金属氧化物半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序是先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层多晶硅（或金属）作为栅极，利用加到栅极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载流子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由空穴导电）。而互补式金属氧化物半导体（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强等许多优点，是超大规模集成电路（VLSI）的主流。
14.COATING 光刻胶覆盖 将光刻胶以浸泡、喷雾、刷布、或滚压等方法加于芯片上，称为光刻胶覆盖。目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转的芯片支持器上，适量的光刻
胶加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光刻胶向外流开，很均匀的散在芯片上。而旋转速度和光刻胶黏滞性绝应所镀光刻胶的厚度。光刻胶加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光刻胶中过多的溶剂，进而使光刻胶膜较为坚硬，同时增加光刻胶膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光刻胶膜即软烤过程，也就是完成了整个光刻胶覆盖的步骤。
15.CWQC 全公司品质管制 品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制（Company Wide Quality Control）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体质；即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质，以及全员有体系导向的体质。
16.CYCLE TIME 生产周期时间 指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需的生产/制造时间。生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期时间（”WAFER-OUT CYCLE TIME ），一为“制程周期时间（”PROCESS CYCLE TIME）。一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算的：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）。IC制造流程复杂，且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成，谓的Cycle Time。由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效，故Cycle Time越短，竞争能力就越高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。由于Cycle Time 长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利，早日出FIB上市销售。
17.DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光刻胶附着力。以免芯片表面曝光显影后光刻胶掀起。方法：在光刻胶覆盖的前，利用高温（120℃或150℃）加热方式为的。
18.DENSIFY 密化 CVD沉积后，由于所沉积的薄膜（THIN FILM的密度很低），故以高温步骤使薄膜中分子重新结合，以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。
19.DIFFUSION 扩散 在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子注入的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
20.DI WATER 去离子水 IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤的后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离子级颗粒（particle），经厂务的设备将的杀菌、过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞，专供IC制造的用。
21.DOPING 掺入杂质 为使组件运作，芯片必须掺以杂质，一般常用的有：预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸汽，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱进扩散；或利用沉积时同时进行预置。离子注入：先使杂质游离，然后加速注入芯片。
22.DRIVE IN 驱进 离子注入（ion implantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温
度去进行，一方面将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将注入时产生的缺陷消除。此方法称的驱进。在驱进时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱进原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。
23.ELECTROMIGRATION 电子迁移 所谓电子迁移，乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中的薄金属层时，某些地方的金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近的导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移的抗力，例如：与铜形成合金，沉积时加氧等方式。
24.ELECTRON/HOLE 电子/ 空穴 电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周形成原子。空穴是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。
25.EPI WAFER 外延晶圆，在晶体表面生长一层晶体。
26.ETCH 蚀刻 在集成电路的制程中，常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，在利用微影技术在这层薄膜上，以光刻胶定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部分去除，此种去除步骤便称为蚀刻（ETCH）一般蚀刻可分为湿性蚀刻（WET ETCH）及干性蚀刻（DRY ETCH）两种。所谓干性蚀刻乃是利用化学品（通常是盐酸）与所欲蚀刻的薄膜起化学反应，产生气体或可溶性生成物，达到图案定义的目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生等离子体，将所欲蚀刻的薄膜反映产生气体由泵（PUMP）抽走，达到图案定义的目的。
27.EXPOSURE 曝光 其意义略同于照相机底片的感光在集成电路的制造过程中，定义出精细的光组图形为其中重要的步骤，以运用最广的5X STEPPER为例，其方式为以对紫外线敏感的光刻胶膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计的各种图形，以特殊波长的光线（G-LINE 436NM）照射光罩后，经过缩小镜片（REDUCTION LENS）光罩上的图形则成5倍缩小，精确地定义在底片上（芯片上的光刻胶膜）经过显影后，即可将照到光（正光刻胶）的光刻胶显掉，而得到我们想要的各种精细图形，以作为蚀刻或离子注入用。因光刻胶对于某特定波长的光线特别敏感，故在黄光室中早将一切照明用光源过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光刻胶有感光能力的波长成分在，这一点各相关人员应特别注意，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细的光刻胶图。
28.FABRICATION（FAB） 制造 Fabrication为“铸造”的意思，半导体制造程序，其步繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。FAB是Fabrication的缩写，指的是“工厂”的意思。例如：进去“FAB”的前需穿上无尘衣。
29.FOUNDRY 客户委托加工 客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由FMI来生产制造，在将成品出售给客户，指收取代工过程费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就是硅代工（Silicon Foundry）。
30.FOUR POINT PROBE 四探针探测 是量测芯片阻值（Sheet Resistance）RS的仪器。原理如下：有ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差（△V），则RS=K.△V/I K是常数比例和机台及针尖距离有关。四探针测试仪有四个细小的，与能源和伏特计相连内嵌式探针。一个四探针测试仪由四个排
成一条线的细小金属探针组成。外侧的两个探针接能源，内侧的两个探针连接伏特计。 测量过程中，电流流过外侧的两个探针，并且通过内侧探针测量得出电压的变化值。电流与电压之间的关系由探针之间的距离和材料的电阻率共同决定。
31.GATE OXIDE 闸极氧化层 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半场效晶体管）中相当重要的闸极的下的氧化层。此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格。
32.H2SO4 硫酸 为目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性、浓稠、油状液体，依纯度不同，由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶，非常具有活性。溶解大部分的金属。浓硫酸具氧化、脱水、磺化大部分的有机化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸点315℃。与水混合时需格外小心，由于放热引起爆炸性的溅泼，永远是将酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被溅到，应用大量水冲洗。目前在线上，主要用于清洗及光刻胶去除。
33.H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸无色无谓起泡液体或透明晶形固体。依温度、浓度而定。在20℃，50﹪及75﹪强度为易流动液体，85﹪为似糖浆，100﹪酸为晶体。比重1.834，熔点42.35℃。在213℃形成焦磷酸。溶于水、乙醚，能腐蚀铁及合金。对皮肤、眼睛有刺激性，不小心溅到，可用水冲洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，浓度是85﹪，沸点156℃，SI3N4与SIO2的蚀刻比约为30：1。
34.HCL 氯化氢（盐酸） Hydrochloric Acid盐酸，为无色或淡黄色，发烟，刺激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水、酒精、苯、不可燃。用途广泛。可用金属的酸洗与清洁。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前线上，主要用于RCA清洗。
35.HEPA 高效率过滤器 HEPA（High Efficiency Particulate Air Filter）为洁净室内用以滤去微粒的装置，一般以玻璃纤维制成，可将0.1μm 或0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪。层流台能保持Class100以下的洁净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了达到控制颗粒(particle)的效果，也都装有HEPA的设计。
36.HNO3 硝酸 透明、无色或微黄色、发烟、易吸湿的腐蚀性液体，能腐蚀大部分金属。呈黄色是由于曝光所产生的二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点78℃，比重1.504。IC产业中硝酸用于清洗炉管，但对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。清洗炉管用。
37.LOAD LOCK 传送室 用来隔绝反应室与外界大器直接接触，以确保反应室内的洁净，降低反应是受污染的程度。一般用于等离子体蚀刻及金属溅镀等具有真空反应室的设备。 38. LOT NUMBER 批号 批号是线上所有材料的身份证。
39.LPCVD（LOW PRESSURE） 低压化学气相沉积 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、复晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
40.MASK光罩MASK原意为面具，而事实上光罩在整个IC制作流程上，所扮演的角色和面具也有几分神似。光罩主要的用途在于利用光刻胶制程，将我们所需要的图形复印在芯片上，制作很多的IC芯片。根据其制作的材质又可分为石英光罩 （QUARTZ），绿玻璃光罩等。
41.MICRO,MICROMETER,MICRON 微米 定义：Micro为10的-6次方 1 Micro=10的-6次方，1