Micrometer =10的-6次方 m=1 Micro=1μm通常我们说1μ即为10的-6次方 m又因为1埃=10的-8次方㎝=10的-10次方m（原子大小）故1μ=10，000埃约唯一万个原子堆积而成的厚度或长度。
42.MOS 金属氧化物半导体 定义：构成IC的晶体管结构可分为两型－双极型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。双极型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流，而MOS型是由场效应晶体管（FET）集成化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜的后，再由它上面的外加电极（金属或复晶硅）加入电场来控制其动作，制程上比较简单，也较省电，最早成为实用化的是P-MOS，但其开关速度较慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域的后，NMOS的功率消耗还是太大了于是由P-MOS及 N-MOS组合而成速度更高、电力消耗更少的互补式金属氧化物半导体（CMOS，Complementary MOS）遂成为主流。
43.N2,NITROGEN 氮气 定义：空气中约4/5是氮气。氮气是一安定的惰性气体，由于取得不难且安定，故Fab内常用以当作Purge（净化）管路，除去脏污、保护气氛、传送气体（Carrier Gas）、及稀释（Dilute）用途。另外，氮气在零下196℃（77F）以下即以液态存在，故常被用作真空冷却源。现在Fab内Clean House用的氮气为厂务提供的99.999﹪纯度氮气，生产线路所用的氮气为瓶装更高纯度氮气。因氮气的用量可局部反应生产成本，故应节约使用以降低成本。
44.N/P TYPE SEMICONDUCTOR N/P型半导体 定义：一般金属由于阻值相当低（10-2Ω－㎝以下），因此称的为导体，而氧化物阻值高至105Ω/㎝以上，称为绝缘体。若阻值在0.01～105Ω/㎝的间，则名为半导体。IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si（硅）是四价键结（共价键）的结构，若掺杂有如砷（As）磷（P）等五价元素，且占据硅原子的地位（Sub-situational Sites），则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称的为N型半导体。若掺杂硼（B）等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键少了一个电子，因此其它键的电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称的为空穴传导，也使硅的导电性增加，称的为P型半导体。因此N型半导体中，其主要带电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为带正电的空穴。在平衡状况下（室温）不管N型或P型半导体，其电子均与空穴浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。
45.OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在－183℃液化成浅蓝色的液体，在218℃固化。在海平面上，空气中约占20﹪体积的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在等离子体光刻胶去除中，氧气主要用来去除光刻胶用。在等离子体干蚀刻中，氧混入CF4气体中，可增加CF4气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于等离子体光刻胶去除；利用氧气在等离子体中产生氧的自由基（RADICAL）与光刻胶中的有机物反应，产生二氧化碳和水气体蒸发，达到去除光刻胶的效果。
46.P 磷 ?自然界元素之一。由15个质子及16个中子所组成。?离子注入的磷离子，是由气体PH3经灯丝加热分解得到的3 L P+离子，借着Extraction 抽出气源室经加速管加速后，布植在芯片上。?是一种N-type离子，用做磷注入，S/D注入等。
47.PARTICLE CONTAMINATION颗粒污染：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为处理操作过程甚为繁杂，但机器、人为均获多或少会产生一些颗粒，这些尘粒一但沾附到芯片上，集会造成污染影响，而伤害到产品品质与良率，此即『颗粒污染』，我们在操作过程中应时时防着各项颗粒污染来源。
48.PECVD 等离子体CVD 定义：CVD化学反应所须知能量可以是热能、光能或等离子体。以等离子体催化的CVD称作PECVD。PECVD的好处是反应速度快、较低的基版温度及Step Coverage；缺点是产生较大的应力，现Fab内仅利用PECVD做氮化硅护层。PECVD英文全名为Plasma Enhancement CVD。
49.PH3 氢化磷 定义：一种半导体工业的气体，经灯丝加热供给能量后，可分解成P4，PH4、PH2（及H4）。可由质谱谱场分析出来，做N-type离子注入用。
50.PHOTORESIST 光刻胶 光刻胶为有机材料，是利用光线照射时的有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化，在使用溶剂使的显像。目前一般商用光刻胶主要含有二部分（1）高分子树酯（2）光活性物质，工作原理不同可分为正，负两类：（1）正型：光活性物质为 DIAZOQUINOUE类，照光前难溶 于碱液中，有抑制溶解树酯功能， 照光后产生羧酸，反有利于碱液 溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。（2）负型：光活性物质为DIAZIDE类， 照后生成及不安定的双电子自由 基，能与高分子树酯键结，而增加 分子量，选择适当溶剂便可区分曝 光区与非曝光区。目前SMIC使用的正、负光刻胶，皆为适用于G-LINE（436NM）制程的光刻胶。
51.PILOT WAFER 试作芯片 Pilot Wafer为试作芯片，并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前，为了确定机器是否正常所作的试片，或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出来的结果将决定该批的制程条件。故处理Pilot Wafer时，所抱持的态度必须和处理Prime Wafer一样慎重。
52.PINHOLE 针孔 在光刻胶制程所谓的针孔，就是在光刻胶覆盖时，光刻胶薄膜无法完全盖住芯片表面，而留有细小如针孔般的缺陷，在蚀刻制程时，很可能就被蚀刻制程穿透而致芯片的报废。在以往使用负光刻胶制程时，由于负光刻胶粘稠性较大，覆盖较薄，因此容易出现针孔，固有些层次（如CONTACT）必须覆盖两次，才能避免针孔的发生。目前制程大多使用正光刻胶，覆盖较厚，已无针孔的问题存在。
53.PLASMA ETCHING 离子体蚀刻 定义：在干蚀刻技术中，一班多采用等离子体蚀刻与活性离子蚀刻，通常等离子体蚀刻使用较高的压力（大于200mT）及较小的RF功率，当芯片浸在等离子体的中，暴露在离子体的表面层原子或分子与等离子体中的活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称的为等离子体蚀刻。
54.POCL3 三氯氧磷 定义：一种用作N型扩散的化合物。通常以N2为“载气”（Carrier Gas），带着POCl3和O2（氧气）一起进入高温炉管，然后产生反应，在反应过程中，磷沉淀于硅表面，同时硅表面亦形成一氧化层。
55.POLY SILICON 多晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。其结构是复晶结构，其结晶的结构是多方向的，而非单一方向。POLY SILICON通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极及单元的接连。
56.PRESSURE 压力 定义：气体分子撞击反应室的器璧所产生的力量。气体分子越少、压力越低。反的气体分子越多、压力越高。如压力<大气压力时，表示真空，其压力单位即为真空度。 1大气压=1atm=760mmHg水银柱压力 1Torr（托）=1/760atm=1mmHg。如压力>大气压力时，即用单位面积所受的重量表示，如㎏每平方㎝ 。一般等离子体蚀刻机的压力为50millitorr～0.5Torr。一般使用的气瓶的压力约为500psi～2000PSI。
57.REFLOW 回流 回流是IC制造中医种特殊技术。做法是将磷或硼或两者合一，掺入二氧化硅中（常用CVD方式）。的后将芯片推入高温炉管一段时间，该二氧化硅层（PSG BPSG或BSG）即会『流动』，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层『重新流动』的意。
58.RESISTIVITY 阻值
定义：物理学上定义阻值（Ω，即欧姆）为R=△V/I在物体两截面上通以定电流V，量得电压降△V，则 △V/I即为这物体的阻值.
59. REWORK/SCRAP/WAIVE 修改/报废/签过 修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：将光刻胶去除，重新上新光刻胶，已定义新的或精确的图形。AEI修改：将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除，重新沉积或氧化。报废：芯片受污染或流程不合规范上的规定，造成芯片有可能无良率，则停止流程不继续生产。签过：当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内的规定，但其影响不致使芯片达报废的程度，可由工程师签署，继续流程。
60.SCRUBBER 刷洗机 在沉积或蚀刻制程的后常会有些微尘落在芯片表面，此种微尘可刷洗去除，避免对良率的伤害。依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5种不同刷洗方式：- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗
61.SILICIDE 硅化物 硅化物（Silicide），指耐火金属（Refractory Metal）的硅化物，如钛（Ti）、钨（W）、钼（Mo）等与元素硅（Si）结合而成的化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物应用在组件的目的，主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联的阻抗，以增加组件的性能。
62.SILICON 硅－SI（全文SILICON）为自然界元素的一种，意即我们所使用的硅芯片组成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在（重复性单位细胞组成），每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成的四面体（称为钻石结构）如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近的原子其原型或其价件的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料的间（故称为半导体材料），人类可经由温度的变化、能量的激发及杂质掺入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在日常生活中。
63.S.O.G.（SPIN ON GLASS） 旋制氧化硅是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂与芯片上，在利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化程稳定的非晶相氧化硅。其简单流程如下：旋转平涂→加热烧烤→高温硬化（~450℃）旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间的平坦化（Planization）。以增加层与层的间的结合特性，避免空洞的形成及膜的剥离。
64.SPECIFICATION（SPEC） 规范 规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项的规范清楚并确实遵照规范执行，检验规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，达到自主管理及全员参与标准化的目的。
65.TARGET 靶 一般用在金属溅镀（SPUTTERING）也就是以某种材料致造成各种形状，因此『靶』当作金属薄膜溅镀的来源。
66.THROUGH PUT 产量 定义：Through Put为单位工时的产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through Put为100片/每小时。如果每天运作21小时，则每天的Through Put为2100片/天。IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through Put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量：如流程安排、故障排除等，亦即必须“人机一体”才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力。
67.VACUUM 真空 定义：真空是针对大气而言——特定空间内的部分气体被排出，其大气压力小于一大气压。表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为一大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中将真空一压力大小分为四个区域：A粗略真空（Rough Vacuum）B中度真空（Medium Vacuum）C高真空（High Vacuum）D超高真空（Ultra- High Vacuum）。方法：在不同真空，气体流动的形式与传导性等均有所差异，简略而言：在粗略真空气体的流动称的为粘滞流（Viscous Flow）。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性；在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流（Molecular Flow），其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随方向，不受抽气方向影响。在热导性方面：中度真空的压力范围其与压力成正比关系，粗略真空与高真空区域则无此关系。
68.VACUUM PUMP 真空泵 凡能将特定空间内的气体去除以减低气体分子数目，造成某种程度只真空状态的机件，通称为真空泵。目前生产机台所使用的真空泵可分为抽吸式：旋片泵（ROTARY PUMP）、活塞泵（PISTON PUMP）、扩散泵（DIFFUSION PUMP）。储气式：冷冻泵（CRYO PUMP）、离子泵（ION PUMP）
69.YELLOW ROOM 黄光室 黄光室（Yellow Room）就是所有光源（照明用）均为黄色光波波长的区域。由于IC晶方内的图案均有赖光刻胶剂（Photo resist）覆盖在芯片上，再经曝光，显影而定型；而此光刻胶剂遇光线照射，尤其是紫外线（UV）即有曝光的效果，因此在显影完毕以前的生产，均宜远离此类光源。黄光的光波较长，使光刻胶剂曝光的效果很低，因此乃作为显影前的照明光源。
FAB区常用词汇
Air Shower 风淋室 Alarm 警讯 Average 平均 Area 区域 Abort 放弃 Acid 酸
Auto/Manual 自动/手动 AMHS 自动化物料传输系统 Batch 群；组 Bay 工作区 Backup 备用 Bank 储存所 Cancel 取消 Clean room 无尘室 Cassette 芯片晶舟 Chemical 化学药剂 Check 检查；核对 CIM 电脑整合制造 Class 洁净室等级 CMP 化学机械研磨 Child lot 子批 Correct 正确 Cycle time 生产周期 Code 代码 Control 控制 Chip (die) 晶粒 Comment 注解 Control Wafer 控片 Confirm 确认 Cart 手推车 CD 关键性尺寸 Chart 图表
Dummy wafer 挡片 Daily check 每天检查 Diffusion 扩散 DI water 去离子水 Damage 损害 Display 展示 Double 重复；加倍 Defect 缺陷 Doping 掺杂 Downgrade 降级
Due date 交期 Discipline 纪律 Etch 蚀刻 Error 错误
EE 设备工程师 Emergency 紧急状况 Exit 退出 Entry 进入
Energy 能量 EQ Status 机台状态 Foundry 代工 Fail 失败 FAB 工厂 Filter 过滤器 Function 功能
Gas 气体 Gowning room 更衣室 Hold 暂停 Hot bake 烘烤 I.C 集成电路 Idle 闲置 Implant 植入 IPA 有机清洁溶剂 Layer 层次 Lot 批
Line 线距 Lot Status 产品状态 Load 载入 Login/logout 注册/离开 Log sheet 记录本 Logo 标志 Location 位置 Login 登录 Logout 退出 Laundry 洗衣房
Machine 机器 Module 部门 Move 产量 Monitor 测机 Merge 合并 Micron 微米 Metal 金属 MFG 制造部 Mark 标志 Mask (reticle) 光罩 Manual 手动 Measure 测量 Mapping 映射 Mode 模式 Message 讯息 Mean 平均值 Measure 测量
Non-critical 非重要 Out of spec control Oxide 氧化物 Owner 拥有者 O.I 操作指导手册 OPI 操作界面 OOS 超出规格界线 OOC 超出控制界线 OCAP 超出管制界线的相应对策
Pod 装晶舟与芯片的盒子 Photo 黄光或微影 Particle 颗粒 Password 密码 Poly 复晶 Passivation 保护层 Polymer 聚合物 Profile 侧面 Power 电源 PN 制造通报