第3章CMOS集成电路的物理结构
§3.2 MOSFET CMOS工艺，掺杂区同时存在施主和受主，其极性由占优势的类型决定。 N型区：Nd>Na,载流子密度：多子 n n≈ N d N a ni2/ cm3少子 pn≈ Nd Na P型区：Na>Nd载流子密度：多子 p p≈ N a N d ni2/ cm3少子 n p≈ Na Nd全补偿：Nd=Na
,此时由于掺杂的数量非零，它的迁移率将小于本征值。2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 21
§3.2 MOSFETPN结
PN结的特点：单向导电性
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