第3章CMOS集成电路的物理结构
§3.4 FET阵列设计缓冲器BUF:电信号的整形、提高驱动能力
金属可以跨越多晶栅而不会在电气上连接2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 37
§3.4 FET阵列设计带有驱动器的传输门版图
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2011-9-10
第3章 CMOS集成电路的物理结构
38
第3章CMOS集成电路的物理结构
§3.4 FET阵列设计缓冲器BUF:电信号的整形、提高驱动能力
金属可以跨越多晶栅而不会在电气上连接2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 37
§3.4 FET阵列设计带有驱动器的传输门版图
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