第3章CMOS集成电路的物理结构
§3.2 MOSFET例3.3,考虑一个栅氧化层，厚度为tox= 50 A= 50× 10 8 cm°
其每单位面积的栅氧电容为 Cox=
ε oxtox
3.9ε 0 3.9× 8.854× 10 14=== 6.91×10 7 F/cm 2 8 tox 50×10
假定栅面积为 AG= 1× 10 4 cm× 0.4× 10 4 cm= 4× 10 9 cm 2栅电容为 C G= C ox AG= 6.91× 10 7× 4× 10 9= 2.76× 10 15 F= 2.76fF2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 25
§3.2 MOSFETNMOS中的电流I Dn≈μ n Cox W (VGSn VTn )VDSn L
定义工艺互导' k n=μ nCox单位：A/V2
定义器件互导 W ' Wβ n=μ nCox= k n单位：A/V2 L L沟道电阻： 1 Rn= VDSn/ I Dn=β n (VGSn VTn ) L Rn= Rc,n W 2011-9-10
Rc,n=
1μ nCox (VGSn VTn )
NMOS沟道的方块电阻26
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