第3章CMOS集成电路的物理结构
§3.2 MOSFETPMOS中的电流W (VSGp | VTp|)VSDp L定义工艺互导 I Dp≈μ p Cox' k p=μ p Cox单位：A/V2
定义器件互导 W ' Wβ p=μ p Cox= k p单位：A/V2 L L沟道电阻：R p= VSDp/ I Dp= 1β p (VSGp | VTp|)
2011-9-10
第3章 CMOS集成电路的物理结构
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§3.2 MOSFET§3.2.4栅电容的驱动
i (t )=
dQ dV=C dt dt
PR= i 2 R
由于器件和互连线的物理特性引起的开关延迟； 电路中每次开关都需要能量转移，将消耗功率。2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 28