第3章CMOS集成电路的物理结构
§3.1集成电路工艺层2互连线电容
设满足平行板电容条件
Cline=
ε ox wlTox
ε ox:绝缘层( SiO2)介电常数，单位： F/cm2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 7
§3.1集成电路工艺层Intel 0.18µm工艺互连线
2011-9-10
第3章 CMOS集成电路的物理结构
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第3章CMOS集成电路的物理结构(4)
2021-02-21 08:35
第3章CMOS集成电路的物理结构(4).doc
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